ASML的DUV光刻機(jī)單次曝光也只能做到38納米線寬，EUV光刻機(jī)單次曝光可以做到22納米線寬，32、28、22、14、10、7納米等都是通過多次曝光技術(shù)做到的，上海微電子單次曝光能達(dá)到90納米已經(jīng)不錯(cuò)了，光學(xué)光刻工藝基本上已經(jīng)到盡頭了，再過十年應(yīng)該可以追上ASML。
其實(shí)，上海微電子單次曝光能達(dá)到90納米算是相當(dāng)高端了，這個(gè)級別能實(shí)現(xiàn)，基本的技術(shù)都沒問題了，或者說總體的技術(shù)框架是成立的。5年內(nèi)國有技術(shù)再進(jìn)一步是完全可以做到的?？傊?雖然跟ASML差了數(shù)代，但是能做出90也算不錯(cuò)了。
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